W GLIWICACH
WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY
Kierunek : elektrotechnika.
Studia dzienne.
rok 2 , sem IV
sekcja 3
Rok akademicki : 1999/00.
Badanie charakterystyk tranzystorów
Unipolarnych.
Sekcja 3
1. Wziętek Piotr
2. Guzy Marcin
UP=4,5
Przeprowadzamy pomiary według zależności:
ID=f (UDS) dla UGS=const
UGS=5V
UGS=6V
UGS=8V
UGS=10V
UGS=12V
UDS
ID
2
0,155
0,70
2,5
4,0
5,5
4
0,165
0,80
3,3
7,0
9,5
6
0,170
0,84
3,4
7,5
11,5
8
0,175
0,86
3,5
12,0
10
0,177
0,87
3,55
12
0,180
0,88
3,6
14
0,185
0,90
15
Na podstawie wykresu wyznaczamy transkonduktancję tranzystora polowego
gm=DID/DUGS przy UDS=const.
gm=1,66 mA/V dla UGS=10V
oraz konduktancję wyjściową
gds=DID/DUDS przy UGS=const.
gds= 2,5 mA/V dlaUDS=12V
Mając wyznaczoną transkonduktancję oraz konduktancję wyjściową mozna wyznaczyc schemat zastępczy tranzystora polowego
Na podstawie wyznaczonych charakterystyk przejściowej i wyjściowych można stwierdzić że badanym tranzystorem był tranzystor polowy z izolowaną bramką z kanałem wzbogaconym typu n.
Działanie tranzystora polowego polega na sterowaniu prądu za pomocą pola
elektrycznego. Najważniejszymi parametrami tranzystora polowego są: napięcie odcięcia, dopuszczalne napięcie UDS, UGS oraz prąd drenu ID i rezystancja wejściowa, która jest największą zaletą w porównaniu z tranzystorem bipolarnym. Oprócz tego posiadają bardzo małą pojemność wejściową co jest równoznaczne z dużą impedancją w szerokim zakresie częstotliwości.
Dla prądu przemiennego tranzystor cechują parametry dynamiczne, którymi są transkonduktancja gm oraz konduktancja wyjściowa gds. Cechy tranzystora polowego spowodowały że znalazł on zastosowanie w technologii układów scalonych a szczególnie jako układy cyfrowe wielkiej skali integracji oraz jako klucze analogowe. Klucze takie w przeciwieństwie do kluczy bipolarnych cechuje brak napięć resztkowych związanych z brakiem złącz pn pomiędzy źródłem a drenem, sterowanie napięciowe oraz duża rezystancja w stanie wyłączenia.
...
ikea_92