Ćwiczenie nr 5
Temat: Badanie tranzystora bipolarnego.
Rok akademicki III
2.Szymon Olesiński
3. Grzegorz Mikołajczyk
Data
Wykonania
ćwiczenia:
15.11.2000
Ocena:
Wydział: Elektryczny
Studia : Dzienne
Nr grupy E 6
Uwagi:
Podpis prowadzącego:
1.1. Cel i zakres ćwiczenia
Celem ćwiczenia jest wyznaczenie charakterystyk statycznych: wejściowych, przejściowych i wyjściowych tranzystora bipolarnego w układzie wspólnego emitera oraz określenie parametrów tego tranzystora.
2.1. Dane badanego tranzystora
tranzystor n – p – n obudowa TO 126 ( CE 39 )
UCEO = 45V
UCBO =45V
UEBO = 5V
IC = 0,5A
Icpeak = 1,5A
Ptot = 6,5W przy Tc=60°C
Rthj-c = 10 °C/W
Tj =125°C
fT = 200 MHz ( typ. )
2.2. Opis parametrów charakterystycznych tranzystora bipolarnego
UCEO – maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor – emiter, najczęściej mniejsze niż UCBO i często wynosi tylko połowę jego wartośći
UCBO – napięcie wsteczne kolektor – baza, największe z dopuszczalnych napięć wstecznych,
UEBO – napięcie wsteczne baza – emiter, najniższe z dopuszczalnych napięć wstecznych
IC – prą kolektora,
Ic peak – największy szczytowy prąd kolektora,
Ptot – maksymalna moc admisyjna wydzielana na elemencie ( maksymalne straty mocy ),
Rthj-c – rezystancja termiczna przejścia pomiędzy złączem a obudową
Tj – dopuszczalna temperatura złącza,
fT – jest to częstotliwość przy której moduł zwarciowego współczynnika wzmocnienia prądowego b0 maleje do jednośći,
V
mA
Sterowane
źródło napięciowe
Sterowane źródło prądowe
3.1.Schemat połączeń.
4.1. Pomiar charakterystyki wejściowej IB = f ( UBE ) przy UCE = const.
Przy UCE = 0
Lp.
UBE
IB
1.
0,523
0
2.
0,587
20
3.
0,596
40
4.
0,616
80
5.
0,628
120
6.
0,636
160
7.
0,643
200
8.
0,650
240
9.
0,656
280
10.
0,660
320
11.
0,663
360
12.
0,666
400
13.
0,669
440
14.
0,673
480
Przy UCE = 5 V
damiano_80