diody.doc

(124 KB) Pobierz
LABORATORIUM ELEKTRONIKI

 

 

LABORATORIUM ELEKTRONIKI

 

Numer ćwiczenia:

 

1

 

Temat ćwiczenia:

Badanie diod półprzewodnikowych.

 

 

Zespół:

1.Długosz Łukasz

2.Duda Piotr

3.Łagan Ilona

4.Sadowski Piotr

 

 

Data wykonania:

08.10.1999

 

Data oddania do sprawdzenia:

 

Ocena:

 

1.Cel ćwiczenia

 

   Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z właściwościami diod półprzewodnikowych : prostowniczych ( germanowej i krzemowej ), Zenera i elektroluminescencyjnych poprzez pomiar ich charakterystyk.

 

2.Układy  do  pomiaru charakterystyk diod półprzewodnikowych.

          Schemat do pomiaru charakterystyk diody półprzewodnikowej przedstawiono na rys.1. Układ do pomiaru charakterystyki diody spolaryzowanej w kierunku przewodzenia (rys.1a) różni się od układu do pomiaru charakterystyki diody spolaryzowanej w kierunku zaporowym (rys.1b) miejscem dołączenia mierników. W przypadku polaryzacji w kierunku przewodzenia woltomierz  dołącza się bezpośrednio do zacisków diody, amperomierz zaś-szeregowo z diodą i woltomierzem. Jest to układ poprawnie mierzonego napięcia, który jest stosowany w przypadku, gdy badany element ma małą rezystancję.

            

 

 

R0

R0

a)                                                                                                  b)

mA







































E

+

--



--

+

E









V

mA

































   



V



 

 

 

Rys.1.Schemat układu do pomiaru charakterystyk diody a) w kierunku przewodzenia, b) w                                     kierunku  zaporowym. 

 

 

 

W przypadku polaryzacji w kierunku zaporowym amperomierz łączy się szeregowo z diodą – układ poprawnie mierzonego prądu; stosowany w przypadku dużej rezystancji badanego elementu.

  Błąd popełniamy przy pomiarach dzięki zastosowaniu tych układów jest do pominięcia. Inne włączenie mierników do układu prowadziłoby do dużych błędów i wymagałoby ich uwzględnienia.

 

 

3.Tabelaryczne zestawienie wyników pomiarów.

 

 

Dioda BYP 401 w kierunku przewodzenia

U[V]

0,206

0,607

0,657

0,715

0,728

0,749

0,763

0,766

0,768

0,771

0,774

I[mA]

2,07

3,29

9,27

30,02

39,3

59,6

80,3

86,1

89,6

95,1

100,3

 

 

 

Dioda BYP 401 w kierunku zaporowym

U[V]

0,7

1

1,5

2,2

3,1

4,5

5,25

6

10

18

25

I[mA]

0,1

0,1

0,1

0,1

0,1

0,1

0,1

0,1

0,1

0,1

0,1

 

 

 

Dioda DZG1 w kierunku przewodzenia

U[V]

0,224

0,255

0,277

0,293

...

Zgłoś jeśli naruszono regulamin